真空加熱腔體是用來(lái)提供超高真空環(huán)境的設(shè)備。在超高真空環(huán)境下，科學(xué)研究的對(duì)象不會(huì)受到環(huán)境中雜質(zhì)的影響，所以超高真空廣泛應(yīng)用于表面研究、分子束外延（MBE）生長(zhǎng)、電子能譜儀、粒子加速器等領(lǐng)域中。這種真空腔體是為減少了半導(dǎo)體應(yīng)用中真空腔的個(gè)數(shù)而研發(fā)的，而晶圓容量幾乎不變。這種結(jié)構(gòu)采用了配備有壓差真空凹槽的預(yù)置空氣軸承的移動(dòng)真空。產(chǎn)品的特點(diǎn)有改善的機(jī)臺(tái)定位的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)響應(yīng)，抽氣時(shí)間、穩(wěn)定時(shí)間縮短等。

　　真空加熱腔體主要用于分子束外延薄膜生長(zhǎng)及測(cè)量。一般而言，腔體呈橢球、圓柱形等，在其柱壁上根據(jù)需要制造一些接口，用于連接測(cè)量及生長(zhǎng)設(shè)備，連接視窗后也可供實(shí)驗(yàn)者觀(guān)察腔內(nèi)情況。這些接口被稱(chēng)為法蘭口，法蘭的尺寸有相應(yīng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)需要和接入儀器的法蘭接口大小在設(shè)計(jì)腔體時(shí)就要考慮好每個(gè)法蘭口的大小，角度，位置等參數(shù)。事實(shí)上，設(shè)計(jì)真空腔體的難點(diǎn)，就是要在有限的腔體表面上，設(shè)計(jì)出合理的法蘭數(shù)和法蘭位置，令腔體功能在滿(mǎn)足實(shí)驗(yàn)要求的同時(shí)具有進(jìn)一步擴(kuò)展的靈活性，以適應(yīng)實(shí)驗(yàn)者不斷提出的新想法和新要求。

　　真空加熱腔體中的高能電子衍射（RHEED）：高能電子衍射是常用的判斷襯底及薄膜樣品單晶程度的方法。高能電子衍射槍發(fā)出電子沿著需要觀(guān)察的薄膜晶向掠入射在高能電子衍射屏涂有熒光粉）上形成電子衍射條紋。高能電子衍射槍和屏夾角約180度，連線(xiàn)經(jīng)過(guò)中心點(diǎn)。因?yàn)楸∧槎S結(jié)構(gòu)，所以其單晶晶格在倒易空間中表現(xiàn)為一系列的倒易棒，高能電子在倒易空間中表現(xiàn)為一個(gè)半徑很大的球面。兩者相切，即得到一系列平行的衍射條紋，間距由薄膜的晶格常數(shù)決定。這樣的高能電子衍射條紋，就可以證明樣品的單晶程度是否良好。